Sedemên germbûna MOSFET-a inverterê çi ne?

The inverter'sMOSFETsdi rewşek veguheztinê de tevdigerin û herika ku di lûleyan re diherike pir zêde ye. Ger lûle bi rêkûpêk nehatibe hilbijartin, amplîtuda voltaja ajotinê têra xwe ne mezin be an jî belavbûna germahiya dora ne baş be, dibe ku ew bibe sedema germbûna MOSFET.

1, germkirina inverter MOSFET ciddî ye, divê bala xwe bidin hilbijartina MOSFET

MOSFET di veguhezerê de di rewşa veguheztinê de, bi gelemperî hewcedariya wê ya rijandina wê ya bi qasî ku gengaz e, li ser-berxwedana ku bi qasî ku gengaz dibe piçûktir e, ku dikare daketina voltaja têrbûna boriyê kêm bike, bi vî rengî boriyê ji vexwarinê kêm bike, germê kêm bike.

Destûra MOSFET-ê binihêrin, em ê bibînin ku her ku nirxa voltaja berxwedanê ya MOSFET-ê bilindtir be, berxwedana wê ya li ser-berxwedanê jî mezintir dibe, û yên ku xwedan tîrêja tîrêjê ya bilind û nirxa voltaja berxwedêr a boriyê kêm e, berxwedana wê bi gelemperî di bin dehan de ye. miliohms.

Bi texmîna herikîna barkirinê 5A, em invertera ku bi gelemperî tê bikar anîn MOSFET RU75N08R hildibijêrin û nirxa berxwedêriya voltaja 500V 840 dikare bibe, herika dravê wan di 5A an jî zêdetir de ye, lê li ser-berxwedana her du lûleyan cûda ye, heman tîrêjê dimeşîne. , ferqa germa wan pir mezin e. Berxwedana li ser 75N08R tenê 0.008Ω ye, dema ku berxwedana li ser 840 0.85Ω ye, dema ku barkirina barkirinê di nav boriyê de 5A ye, voltaja lûleyê 75N08R tenê 0.04V e, di vê demê de, vexwarina lûleya MOSFET-ê ye. tenê 0.2W, dema ku voltaja 840 tîrêjê dikare heta 4.25W be, mezaxtina boriyê bi qasî 21.25W e. Ji vê yekê tê dîtin, berxwedana li ser-berxwedana MOSFET-ya guhêrbar çi qas piçûktir be, ew qas çêtir e, berxwedana lûleyê mezin e, vexwarina boriyê di bin herikîna zêde de Berxwedana ser-berxwedana MOSFET-ya guhêrbar ewqas piçûk e. wek gengaz.

2, dora ajotinê ya amplituda voltaja ajotinê ne têra xwe mezin e

MOSFET amûrek kontrolkirina voltajê ye, heke hûn dixwazin vexwarina tubê kêm bikin, germê kêm bikin,MOSFETPêdivî ye ku gewreya voltaja ajokera dergehê têra xwe mezin be da ku qeraxa nebşê hişk û rast bimeşîne, hûn dikarin daketina voltaja boriyê kêm bikin, xerckirina boriyê kêm bikin.

3, belavbûna germa MOSFET ne sedemek baş e

InverterMOSFETgermkirin cidî ye. Ji ber ku mezaxtina enerjiyê ya guherbar a MOSFET mezin e, kar bi gelemperî hewceyê deverek derveyî têra xwe mezin a germahiyê hewce dike, û germkirina derveyî û MOSFET bixwe di navbera germê de divê bi têkiliyek nêzîk re bi hev re bin (bi gelemperî pêdivî ye ku bi rûnê silîkonê ku bi germî veguhezîne were pêçandin. ), heke germbûna derve piçûktir be, an têkiliya bi germa xweya MOSFET-ê re têra xwe nêz nebe, dibe ku bibe sedema germkirina lûlê.

Germkirina Inverter MOSFET ciddî çar sedem hene ji bo kurtebiriyê.

Germkirina sivik a MOSFET diyardeyek normal e, lê germbûna giran, heta ku berbi boriyê jî dişewite, çar sedemên jêrîn hene:

1, pirsgirêka sêwirana sêwiranê

Bila MOSFET di rewşek xebitandina xêzikî de bixebite, ji dêvla ku di rewşa çerxa veguheztinê de bixebite. Ew jî yek ji sedemên germkirina MOSFET e. Ger N-MOS veguheztinê dike, voltaja G-asta pêdivî ye ku çend V ji dabînkirina hêzê bilindtir be da ku bi tevahî were vegirtin, dema ku P-MOS berevajî ye. Ne bi tevahî vekirî ye û daketina voltajê pir mezin e ku di encamê de mezaxtina hêzê çêdibe, hevsengiya DC-ya hevseng mezintir e, daketina voltajê zêde dibe, ji ber vê yekê U * I jî zêde dibe, windabûn tê wateya germê. Ev di sêwirana çerxê de xeletiya herî dûrketî ye.

2, frekansek pir bilind

Sedema sereke ev e ku carinan lêgerîna zêde ya qebareyê, di encamê de frekansa zêde dibe, windabûna MOSFET li ser mezin, ji ber vê yekê germahî jî zêde dibe.

3, sêwirana termal têr nake

Ger niha pir zêde be, nirxa niha ya binavkirî ya MOSFET-ê, bi gelemperî ji bo bidestxistina germahiya baş hewce dike. Ji ber vê yekê nasname ji heyama herî zêde kêmtir e, dibe ku ew jî xirab germ bibe, pêdivî ye ku têra germahiya alîkar hebe.

4, Hilbijartina MOSFET xelet e

Darazkirina xelet a hêzê, berxwedana hundurîn a MOSFET bi tevahî nayê hesibandin, ku di encamê de impedansa veguherînê zêde dibe.