Prensîba xebata MOSFET-ê fam bikin û hêmanên elektronîkî bi bandortir bicîh bînin

Fêmkirina prensîbên xebitandinê yên MOSFET-an (Tranzîstorên Metal-Oksîde-Nivconductor Field-Effect-Effect Transistors) ji bo karanîna bi bandor a van hêmanên elektronîkî yên bikêrhatî pir girîng e. MOSFET di cîhazên elektronîkî de hêmanên domdar in, û têgihîştina wan ji bo hilberîneran pêdivî ye.

Di pratîkê de, hilberîner hene ku dibe ku di dema serîlêdana xwe de fonksiyonên taybetî yên MOSFET-ê bi tevahî nenirxînin. Digel vê yekê, bi têgihîştina prensîbên xebatê yên MOSFET-ên di cîhazên elektronîkî de û rolên wan ên têkildar, mirov dikare bi stratejiyek MOSFET-a herî maqûl hilbijêrin, ku taybetmendiyên wê yên bêhempa û taybetmendiyên taybetî yên hilberê hildibijêre. Ev rêbaz performansa hilberê zêde dike, pêşbaziya wê di sûkê de xurt dike.

WINSOK SOT-23-3 pakêta MOSFET

Prensîbên Karê MOSFET

Gava ku voltaja dergeh-çavkaniyê (VGS) ya MOSFET sifir be, tewra bi sepandina voltaja jêderka avdanê (VDS) jî, her gav di biasiya berevajî de girêka PN-ê heye, di encamê de kanalek guhêrbar (û niha) di navbera rijandin û çavkaniya MOSFET. Di vê rewşê de, herikîna rijandinê (ID) ya MOSFET sifir e. Sepandina voltaja erênî ya di navbera derî û çavkaniyê de (VGS > 0) di qata îzolekirinê ya SiO2 de di navbera deriyê MOSFET û substrata silicon de, ku ji derî ber bi substrata siliconê ya P-type ve tê rêve kirin, zeviyek elektrîkê diafirîne. Ji ber ku tebeqeya oksîtê îzolasyon e, voltaja ku li dergehê tê sepandin, VGS, nikare di MOSFET-ê de herikînek çêbike. Di şûna wê de, ew li seranserê tebeqeya oksîtê kapasîtorek çêdike.

Her ku VGS hêdî hêdî zêde dibe, kondensator bar dike, zeviyek elektrîkê diafirîne. Ji hêla voltaja erênî ya li dergehê ve têne kişandin, gelek elektron li aliyê din ê kondensatorê kom dibin, kanalek guhêrbar a tîpa-N-ê ji avjeniyê berbi çavkaniya di MOSFET-ê de ava dikin. Dema ku VGS ji voltaja tîrêjê VT (bi gelemperî li dora 2V) derbas dibe, kanala N-ya MOSFET-ê rêve dibe, û herikîna ID-ya niha ya rijandinê dest pê dike. Voltaja dergeh-çavkaniyê ya ku kanal dest pê dike wekî voltaja sînor VT tê binav kirin. Bi kontrolkirina mezinahiya VGS-ê, û ji ber vê yekê qada elektrîkê, mezinahiya ID-ya niha ya rijandinê di MOSFET-ê de dikare were modul kirin.

WINSOK DFN5x6-8 pakêta MOSFET

Serlêdanên MOSFET

MOSFET bi taybetmendiyên xwe yên guheztinê yên hêja navdar e, ku rê li ber sepana wê ya berfereh di çerxên ku hewceyê guhezên elektronîkî ne, wekî dabînkirina hêzê ya moda guheztinê ye. Di sepanên kêm-voltaja ku dabînkirina hêzê ya 5V bikar tînin de, karanîna strukturên kevneşopî dibe sedema daketina voltajê li ser bingeh-emîter a transîstorek hevberdanê ya bipolar (nêzîkî 0,7V), ji bo voltaja dawîn a ku li dergehê tê sepandin tenê 4,3V dimîne. MOSFET. Di senaryoyên weha de, bijartina MOSFET-ê bi voltaja dergehek binavkirî 4.5V hin xetereyan vedigire. Ev dijwarî di serîlêdanên ku 3V an dabînkirina hêzê ya kêm-voltaja din jî tê de xuya dike.