Naskirina MOSFETên Gate Layer Insulated

MOSFET bi navê dergehê qata însulasyonêMOSFET (li vir ê wekî MOSFET tê binav kirin), ku di nîvê voltaja derî û rijandina çavkaniyê de xwedan kabloyek ji silicon dîoksîtê ye.

MOSFET jî heyeN-kanala û P-kanala du kategorî, lê her kategorî li du celeb zêdekirin û kêmkirina ronahiyê tê dabeş kirin, bi vî rengî bi tevahî çar celeb hene:Pêşveçûna kanala N, Pêşveçûna kanala P-ê, kêmkirina ronahiya kanala N-ê, celebê kêmkirina ronahiya kanala P-ê. Lê li cîhê ku voltaja çavkaniya dergehê sifir e, tîrêjê derzê jî sifirê lûleya zêdekirî ye. Lêbelê, li cîhê ku voltaja çavkaniya dergehê sifir e, tîrêja rijandinê ne sifir e wekî lûleyên cûrbecûr ronahiyê têne kategor kirin.
Prensîba MOSFET-ê ya pêşkeftî:

Dema ku di nîvê çavkaniya dergehê de dixebitin voltajê bikar neynin, nîvê girêka PN-ya çavkaniya avdanê berevajî ye, ji ber vê yekê dê kanalek guhêzbar tune be, her çend nîvê çavkaniya dravê bi voltajê be jî, elektrîka xendeka gihîştî girtî ye, ne mimkûn e ku li gorî wê karek hebe. Gava ku nîvê çavkaniya dergehê plus voltaja rêgezek erênî bi nirxek diyarkirî re, di nîvê çavkaniya avdanê de dê kanalek ewlehiyê ya guhêzbar çêbike, ji ber vê yekê xendeka veguhêz ku tenê ji hêla vê voltaja çavkaniya dergehê ve hatî hilberandin jê re voltaja vekirî VGS tê gotin. navîna voltaja çavkaniya dergehê mezintir e, xendek guhêrbar firehtir e, ku di encamê de herikîna elektrîkê mezintir dike.

Prensîba MOSFET-a Belavkirina Ronahî:

Di xebatê de, voltajek di nîvê çavkaniya dergehê de nayê bikar anîn, berevajî celebê zêdekirina MOSFET-ê, û kanalek guhêzbar di nîvê çavkaniya dravê de heye, ji ber vê yekê tenê voltaja erênî li nîvê çavkaniya drainê tê zêde kirin, ku dibe sedema herikîna herikîna rijandinê. Digel vê yekê, çavkaniya dergehê di nîvê rêgeza erênî ya voltaja de, berferehbûna kanala guhêrbar, arasteya berevajî ya voltajê lê zêde bike, kanala veguhêz piçûk dibe, di nav herikîna elektrîkê de dê piçûktir bibe, bi zêdekirina berhevdana MOSFET, ew jî dikare di jimareya erênî û neyînî ya hejmareke diyarkirî ya herêmên di hundurê kanala rêvebir de be.

Bandora MOSFET:

Pêşîn, MOSFET ji bo mezinbûnê têne bikar anîn. Ji ber ku berxwedana têketinê ya amplifikatorê MOSFET pir zêde ye, ji ber vê yekê kondensatorê parzûnê dikare piçûktir be, bêyî ku hewce bike ku kapasîteyên elektrolîtîkî bicîh bikin.

Ya duyemîn, berxwedana têketina pir bilind MOSFET bi taybetî ji bo veguheztina impedansê ya taybetmendî maqûl e. Bi gelemperî di qonaxa têketina amplifikatorê pir-ast de ji bo veguheztina impedansê ya taybetmendiyê tê bikar anîn.

MOSFET dikare wekî berxwedanek birêkûpêk were bikar anîn.

Çaremîn, MOSFET dikare wekî dabînkirina hêza DC-ê hêsan be.

V. MOSFET dikare wekî hêmanek veguherînê were bikar anîn.