Ev pakêtek eMOSFETsensor pyroelectric infrasor. Çarçoveya rectangular pencereya hîskirinê ye. Pîneya G termînala erdê ye, Pîna D rijandina MOSFET-a hundurîn e, û pina S çavkaniya MOSFET-a hundurîn e. Di çerxê de, G bi erdê ve girêdayî ye, D bi dabînkirina hêza erênî ve girêdayî ye, îşaretên infrared ji pencereyê têne derxistin, û îşaretên elektrîkê ji S têne derxistin.
Deriyê dadgehê G
Ajokarê MOS-ê bi giranî rola şikilkirina pêlê û pêşdebirina ajotinê dilîze: Ger forma pêla nîşana G yaMOSFETne têra xwe hişk e, ew ê di qonaxa veguheztinê de bibe sedema windahiyek mezin a hêzê. Bandora wê ya aliyî kêmkirina kargêriya veguheztina dorpêçê ye. MOSFET dê bi tayê giran be û ji germê bi hêsanî zirarê bibîne. Di navbera MOSFETGS de kapasîteyek diyar heye. , heke kapasîteya ajotina sînyala G têrê nake, ew ê bi giranî bandorê li dema ketina pêlê bike.
Pola GS-ê kurt bikin, asta R×1 ya multimeterê hilbijêrin, rêça testa reş bi pola S ve girêdin, û rêça testa sor bi pola D ve girêdin. Divê berxwedan çend Ω ji deh Ω zêdetir be. Ger were dîtin ku berxwedana hin pinek û du pîneyên wê bêsînor in, û piştî veguheztina lînkên ceribandinê ew hîn jî bêdawî ye, tê piştrast kirin ku ev pîn pola G ye, ji ber ku ew ji her du pinên din veqetandî ye.
Çavkaniya S-yê diyar bikin û D-yê biavêjin
Multimeterê li ser R×1k bicîh bikin û bi rêzê ve berxwedana di navbera sê pinan de bipîvin. Rêbaza rêberiya ceribandina danûstendinê bikar bînin da ku berxwedanê du caran bipîvin. Yê ku bi nirxek berxwedanê kêmtir e (bi gelemperî çend hezar Ω heta ji deh hezar Ω zêdetir) berxwedana pêş e. Di vê demê de, rêberê testa reş pola S ye û rêberiya testa sor bi pola D ve girêdayî ye. Ji ber şert û mercên ceribandinê yên cihêreng, nirxa RDS(on) ya pîvandî ji nirxa tîpîk a ku di manualê de hatî dayîn mezintir e.
Ji dorMOSFET
Transîstor xwedî kanalek N-yê ye, ji ber vê yekê jê re kanala N-yê tê gotinMOSFET, anNMOS. MOS-kanala P (PMOS) FET jî heye, ku PMOSFET-ek e ku ji BACKGATE-ya-n-yek sivik-dopîkirî û çavkaniyek û avdanek P-type pêk tê.
Bêyî MOSFET-a-type an P-type, prensîba xebata wê bi bingehîn yek e. MOSFET bi voltaja ku li dergehê termînala têketinê tê sepandin, niha li rijandina termînala derketinê kontrol dike. MOSFET amûrek bi voltaja kontrolkirî ye. Ew taybetmendiyên amûrê bi voltaja ku li derî ve hatî bicîh kirin kontrol dike. Dema ku transîstorek ji bo veguheztinê tê bikar anîn, ew nahêle bandora hilanîna barkirinê ya ku ji hêla niha ya bingehîn ve hatî çêkirin. Ji ber vê yekê, di guhertina sepanan de,MOSFETsdivê ji transîstor zûtir biguhere.
FET di heman demê de navê xwe ji vê yekê digire ku têketina wê (ku jê re dergeh tê gotin) bandorê li ser herika ku di nav transîstorê re diherike dike bi projekirina zeviyek elektrîkê li ser qatek îzolekirinê. Di rastiyê de, tu herik di vê însulatorê re naherike, ji ber vê yekê herika GATE ya lûleya FET pir piçûk e.
FET-a herî gelemperî di binê GATE-ê de qatek zirav a silicon dîoksîtê wekî însulator bikar tîne.
Ji vî celebê tranzîstorê re transîstora nîvconductor oksîdê metal (MOS), an jî, transîstora bandora zeviyê ya nîvconductor oksîdê metal (MOSFET) tê gotin. Ji ber ku MOSFET piçûktir û bi hêztir in, wan di gelek sepanan de şûna transîstorên bipolar girtine.
Dema şandinê: Nov-10-2023
