Çêrokên dabînkirina hêzê, an çerxên dabînkirina hêzê yên di warê pêşbirkê de, bi neçarî têne bikar anînMOSFETs, ku gelek celeb in û gelek fonksiyon hene. Ji bo veguheztina dabînkirina hêzê an serîlêdanên pêşbirkê, xwezayî ye ku meriv fonksiyona wê ya veguheztinê bikar bîne.
Bêyî N-type an P-typeMOSFET, prensîb bi eslê xwe yek e, MOSFET li deriyê dawiya girêdana herikê tê zêdekirin da ku aliyek hilbera herika dravê birêkûpêk bike, MOSFET amûrek voltaja-kontrolkirî ye ku ew li ser bingeha herika ku li dergehê hatî zêdekirin e. manîpulekirina taybetmendiyên cîhazê, ji ber nihaya bingehîn a ku ji ber bandora hilanîna bargiraniya erênî çêdibe, ne mêldarê veguheztina mîna transîstorê ye, û ji ber vê yekê, di serîlêdana veguheztinê de, divê rêjeya veguheztina MOSFET ji transîstorê zûtir be. Rêjeya veguherînê divê ji trîodê zûtir be.
MOSFETsedemên germbûna piçûk-niha
1, prensîba dorpêçê ya pirsgirêkê ev e ku bila MOSFET di rewşa xebitandinê ya xêz de bixebite, ne di rewşa veguheztinê de. Ev jî sedema germbûna MOSFET e. Ger guheztina N-MOS, voltaja xebitandinê ya asta G ji dabînkirina hêzê ya veguheztinê çend V, ji bo ku bi tevahî vebe û vemire, P-MOS berevajî ye. Bi tevahî ne ser û winda pir mezin e ku di encamê de qutbûna hêza derketinê çêdibe, impedansa taybetmendiya DC-ê ya hevseng mezintir e, winda berfireh dibe, ji ber vê yekê U * I jî tê berfireh kirin, kêmbûn germê temsîl dike. Ev di heman demê de çerxa kontrola bernameya sêwirana nerast a ku herî zêde jê tê dûrxistin e.
2, frekansa pir zêde ye, nemaze carinan carinan pir li dû volga bêkêmasî digerin, di encamê de zêdekirina frekansê, MOSFET li ser berbelavkirina vexwarinê, ji ber vê yekê germahî jî zêde dibe.
3, bernameya sêwirana dûrxistina germê têr nekir, niha pir zêde ye, nirxa heyî ya tolerasyona MOSFET, bi gelemperî pêdivî ye ku dûrxistina germa baş were domandin. Ji ber vê yekê, ID ji ya bilindtir kêmtir e, di heman demê de îhtîmal e ku ew ciddîtir germ bibe, pêdivî ye ku ji bo arîkariya germê têr be.
4, Hilbijartina modela MOSFET ne rast e, hêza derketinê ne rast e, berxwedana MOSFET nayê hesibandin, di encamê de berbelavbûna taybetmendiya veguheztinê zêde dibe.
MOSFET germkirina heyî ya piçûk cidîtir e ku meriv çawa çareser dike?
1.Bernameya sêwirana dûrxistina germê ya MOSFET bistînin, ji hejmareke diyarkirî ya germê re bibin alîkar.
2.Paste glue dûrxistina germê.
Dema şandinê: Tîrmeh-11-2024
