MOSFETsbi berfirehî têne bikaranîn. Naha hin dorhêlên yekbûyî yên mezin têne bikar anîn MOSFET, fonksiyona bingehîn û transîstora BJT, diguhezin û zêde dikin. Di bingeh de BJT triode dikare li ku derê were bikar anîn were bikar anîn, û li hin deveran performansa ji trîodê çêtir e.
Zêdekirina MOSFET
MOSFET û trîoda BJT, her çend hem cîhaza amplifikatorê nîvconductor jî be, lê ji trîodê bêtir avantajên, wekî berxwedana têketina bilind, çavkaniya sînyalê hema hema tune ye, ku ji aramiya sînyala têketinê re dibe alîkar. Ew wekî amplifikatorek qonaxa têketinê amûrek îdeal e, û di heman demê de xwedan avantajên dengê kêm û aramiya germahiya baş e. Ew bi gelemperî wekî pêş-amplifierek ji bo dorhêlên xurtkirina deng tê bikar anîn. Lêbelê, ji ber ku ew amûrek voltaja-kontrolkirî ye, tîrêjê dravê ji hêla voltaja di navbera çavkaniya dergehê ve tê kontrol kirin, hevrêziya bihêzkirina veguheztina frekansa nizm bi gelemperî ne mezin e, ji ber vê yekê şiyana zêdekirinê qels e.
Bandora veguherîna MOSFET
MOSFET wekî veguhezek elektronîkî tête bikar anîn, ji ber ku tenê xwe dispêre guheztina polîonê, ji ber herika bingehîn û bandora hilanîna barkirinê wekî triodek BJT tune, ji ber vê yekê leza veguheztina MOSFET-ê ji trîodê zûtir e, wekî lûleyek guhêrbar. bi gelemperî ji bo demên frekansa bilind-berz tê bikar anîn, wek mînak veguheztina dabînkirina hêzê ya ku di MOSFET-ê de di rewşa frekansa bilind a kar de têne bikar anîn. Li gorî guhêrbarên triode BJT, guheztinên MOSFET dikarin di voltaj û tîrêjên piçûktir de bixebitin, û hêsantir e ku li ser waferên silicon werin yek kirin, ji ber vê yekê ew bi berfirehî di çerxên yekbûyî yên mezin de têne bikar anîn.
Di dema bikaranîna tedbîrên çi neMOSFETs?
MOSFET ji trîodan naziktir in û bi karanîna nerast dikarin bi hêsanî zirarê bidin wan, ji ber vê yekê divê di dema karanîna wan de baldariyek taybetî were girtin.
(1) Pêdivî ye ku ji bo demên karanîna cûda celebek MOSFET-ê ya guncan hilbijêrin.
(2) MOSFET, nemaze MOSFET-yên dergehê îzolekirî, xwedan impedansek têketinê ya bilind in, û dema ku nayên bikar anîn divê ji her elektrodê re bêne kurt kirin da ku ji ber barkirina înduktoriya dergehê zirarê nede boriyê.
(3) Voltaja çavkaniya dergehê ya MOSFET-ên hevberdanê nayê vegerandin, lê dikare di rewşa çerxa vekirî de were hilanîn.
(4) Ji bo ku empedansa têketina bilind a MOSFET-ê were domandin, divê lûle ji şilbûnê were parastin û li hawîrdora karanîna hişk were girtin.
(5) Tiştên barkirî (wekî hesinê lêdanê, amûrên ceribandinê, hwd.) yên ku bi MOSFET-ê re têkildar in, hewce ne ku werin zevî kirin da ku zirarê nedin boriyê. Bi taybetî dema ku deriyê MOSFET-a îzolekirî tê weldingkirin, li gorî çavkaniyê - rêza rêzdar a weldingê ya dergehê, çêtirîn e ku meriv piştî qutbûna elektrîkê were weldan. Hêza hesinê 15 ~ 30W guncan e, dema weldingê divê ji 10 çirkeyan derbas nebe.
(6) dergehê îzolekirî MOSFET nikare bi multimeterek were ceribandin, tenê dikare bi ceribandinek were ceribandin, û tenê piştî gihîştina ceribandinê ji bo rakirina têlkirina kurteya elektrodê. Dema ku were rakirin, pêdivî ye ku berî rakirina elektrodê kurt were girêdan da ku ji ber dergehê dûr nekevin.
(7) Dema ku bikar bîninMOSFETsbi pêlên substratê re, pêdivî ye ku pêlên substratê bi rêkûpêk bêne girêdan.
Dema şandinê: Avrêl-23-2024
