Dema ku MOSFET bi otobusê û erdê barkirinê ve girêdayî ye, guhezkerek aliyek voltaja bilind tê bikar anîn. Pir caran P-kanalaMOSFETsdi vê topolojiyê de, dîsa ji bo ramanên ajokera voltaja têne bikar anîn. Tesbîtkirina nirxa heyî Gava duyemîn ev e ku meriv pîvana heyî ya MOSFET-ê hilbijêrin. Bi strukturê çerxê ve girêdayî, ev rêjeya niha divê herî zêde ya ku bar dikare di her şert û mercî de li ber xwe bide be.
Mîna rewşa voltaja, sêwiraner divê piştrast bike ku hilbijartîMOSFETdikare li hember vê pîvana heyî rabe, tewra dema ku pergal herikînên tîrêjê çêdike. Du rewşên heyî yên ku têne hesibandin moda domdar û pêlên pêlê ne. Ev parametre ji hêla FDN304P DATASHEET ve tê referans kirin, li wir MOSFET di moda guheztina domdar de di rewşek domdar de ye, dema ku herik bi domdarî di nav cîhazê re diherike.
Pişkên pulsê ew in dema ku pêleke mezin (an çîpek) herikînê di nav cîhazê re diherike. Dema ku di bin van şert û mercan de heyama herî zêde hate destnîşankirin, ew bi tenê mijarek rasterast bijartina amûrek e ku dikare li hember vê heyama herî zêde li ber xwe bide.
Piştî bijartina niha ya binavkirî, pêdivî ye ku windabûna rêvekirinê jî were hesibandin. Di pratîkê de, MOSFET ne amûrên îdeal in ji ber ku di dema pêvajoya guheztinê de windabûna hêzê heye, ku jê re windabûna rêgirtinê tê gotin.
MOSFET dema ku ew "ser" e, wekî ku ji hêla RDS(ON) ya cîhazê ve hatî destnîşankirin, wekî berxwedanek guhêrbar tevdigere, û bi germahiyê re pir diguhere. Belavbûna hêzê ya cîhazê dikare ji Iload2 x RDS (ON) were hesibandin, û ji ber ku berxwedana ser-berxwedanê bi germahiyê re diguhere, belavbûna hêzê bi rêjeyî diguhere. Çi qas voltaja VGS ku li MOSFET-ê tê sepandin bilind bibe, dê RDS(ON) piçûktir bibe; berevajî wê RDS(ON) bilindtir be. Ji bo sêwiranerê pergalê, ev e ku li gorî voltaja pergalê veguherî tê lîstin. Ji bo sêwiranên portable, hêsantir e (û gelemperî) karanîna voltaja kêmtir, dema ku ji bo sêwiranên pîşesaziyê, voltaja bilindtir dikare were bikar anîn.
Bala xwe bidinê ku berxwedana RDS(ON) bi niha re hinekî zêde dibe. Guhertinên li ser cûrbecûr parametreyên elektrîkê yên berxwedana RDS (ON) dikarin di pelgeya daneyên teknîkî ya ku ji hêla çêker ve hatî peyda kirin de werin dîtin.
Tespîtkirina Pêdiviyên Germiyê Di hilbijartina MOSFET-ê de gava paşîn ew e ku hewcedariyên termal ên pergalê hesab bike. Sêwiraner divê du senaryoyên cihêreng, ya herî xirab û ya rast bihesibîne. Tête pêşniyar kirin ku hesabê ji bo senaryoya herî xirab were bikar anîn, ji ber ku ev encam marjînalek mezin a ewlehiyê peyda dike û piştrast dike ku dê pergal têk nebe.
Di heman demê de hin pîvandin jî hene ku divê li ser wan haydar binMOSFETdatasheet; wek berxwedana termalê ya di navbera girêdana nîvconductor ya cîhaza pakkirî û hawîrdora hawîrdorê de, û germahiya herî zêde ya girêdanê. Germahiya girêdanê ya cîhazê bi germahiya hawîrdorê ya herî zêde û hilbera berxwedana termal û belavbûna hêzê re wekhev e (germahiya hevgirtinê = germahiya hawîrdorê ya herî zêde + [berxwedana termal x belavbûna hêzê]). Ji vê hevkêşeyê veqetandina hêza herî zêde ya pergalê dikare were çareser kirin, ku bi pênase bi I2 x RDS (ON) re wekhev e.
Ji ber ku sêwiraner herika herî zêde ya ku dê di cîhazê re derbas bibe destnîşan kiriye, RDS(ON) dikare ji bo germahiyên cûda were hesibandin. Girîng e ku bala xwe bidinê ku dema ku bi modelên germî yên hêsan re mijûl dibe, divê sêwiraner kapasîteya germê ya girêka nîvconductor/dorpêça cîhazê û dorpêçê / hawîrdorê jî bihesibîne; ango, pêwîst e ku tabloya çapkirî û pakêt tavilê germ nebin.
Bi gelemperî, PMOSFET, dê diodek parazît hebe, fonksiyona diodê ew e ku pêşî li pêwendiya berevajî ya çavkanî-derxistinê bigire, ji bo PMOS, avantajê li ser NMOS ev e ku voltaja wê ya vekêşanê dikare 0 be, û cûdahiya voltaja di navbera Voltaja DS ne pir e, dema ku NMOS bi şertê hewce dike ku VGS ji bendê mezintir be, ku dê bibe sedema ku voltaja kontrolê bê guman ji voltaja pêwîst mezintir be, û dê tengasiyek nehewce hebe. PMOS wekî veguherîna kontrolê tê hilbijartin, du serîlêdanên jêrîn hene: serîlêdana yekem, PMOS ku hilbijartina voltaja pêk tîne, dema ku V8V hebe, wê hingê voltaj hemî ji hêla V8V ve tê peyda kirin, PMOS dê were qut kirin, VBAT voltaja VSIN peyda nake, û dema ku V8V kêm be, VSIN ji hêla 8V ve tê hêz kirin. Bala xwe bidin zemîna R120, berxwedanek ku bi domdarî voltaja dergehê dadixîne xwarê da ku veguheztina rast a PMOS-ê misoger bike, xetereyek dewletî ya ku bi impedansa dergehê bilind ve ku berê hatî diyar kirin ve girêdayî ye.
Fonksiyonên D9 û D10 ew e ku pêşî li paşvekişandina voltajê bigire, û D9 dikare were derxistin. Pêdivî ye ku were zanîn ku DS-ya dorpêçê bi rastî berevajî ye, ji ber vê yekê fonksiyona lûleya veguheztinê bi rêvekirina dîoda pêvekirî, ku divê di sepanên pratîkî de were destnîşan kirin, neyê bidestxistin. Di vê dorpêçê de, sînyala kontrolê PGC kontrol dike ka V4.2 hêzê dide P_GPRS. Ev çember, termînalên çavkanî û avêtinê bi berevajî ve ne girêdayî ne, R110 û R113 di vê wateyê de hene ku herika deriyê kontrolê ya R110 ne pir mezin e, normalbûna deriyê kontrolê R113, vekişîna R113 ji bo bilind, wekî PMOS, lê di heman demê de dikare wekî vekişînek li ser sînyala kontrolê were dîtin, dema ku pîneyên hundurîn ên MCU û hilkişandinê, ango, derketina derzê-vekirî dema ku derketin PMOS-ê ji holê ranebe, di vê demê de, Ew ê pêdivî bi voltaja derve heye da ku vekêşanê bide, ji ber vê yekê berxwedêr R113 du rola dilîze. r110 dikare piçûktir be, dikare bibe 100 ohms.
MOSFET-ên pakêtên piçûk xwedî rolek bêhempa ne.
Dema şandinê: Avrêl-27-2024
