MOSFET wekî yek ji amûrên herî bingehîn ên di warê nîvconductor de, hem di sêwirana IC-ê û hem jî di çerxên asta panelê de bi berfirehî têne bikar anîn. Heya nuha, nemaze di warê nîvconductorên bi hêza bilind de, cûrbecûr strukturên cihêreng ên MOSFET-an jî rolek bêguhêr dilîzin. BoMOSFETs, avahiya ku mirov dikare bêje komikek sade û tevlihev e di yekî de, sade di pêkhatina xwe de hêsan e, tevlihev li ser sepandina lênihêrîna wê ya kûr bingeh e. Di roj bi roj de,MOSFET germahî jî wekî rewşek pir gelemperî tê hesibandin, kilît hewce ye ku em zanibin sedeman ji ku derê, û kîjan rêbazan dikarin çareser bikin? Piştre em werin ba hev ku fêm bikin.
I. SedemênMOSFET sofac
1, pirsgirêka sêwirana sêwiranê. Ew e ku meriv bihêle ku MOSFET di rewşa serhêl de bixebite, ne di rewşa veguherînê de. Ev yek ji wan sedemên ku MOSFET germ dibe. Ger N-MOS veguheztinê dike, voltaja-asta G divê çend V ji dabînkirina hêzê bilindtir be da ku bi tevahî were vekêşandin, û berevajî vê yekê ji bo P-MOS rast e. Ne bi tevahî vekirî ye û daketina voltajê pir mezin e ku di encamê de mezaxtina hêzê çêdibe, hevsengiya DC-ya hevseng nisbeten mezin e, daketina voltajê zêde dibe, ji ber vê yekê U * I jî zêde dibe, windabûn tê wateya germê.
2, frekansa pir zêde ye. Di serî de carinan ji bo dengdanê pir zêde dibe, di encamê de frekansa zêde dibe, windahiyên MOSFET zêde dibin, ku ev jî dibe sedema germkirina MOSFET.
3, niha pir zêde ye. Dema ku ID ji heyama herî zêde kêmtir be, ew ê jî bibe sedem ku MOSFET germ bibe.
4, hilbijartina modela MOSFET xelet e. Berxwedana hundurîn a MOSFET-ê bi tevahî nayê hesibandin, ku di encamê de impedance guheztinê zêde dibe.te,
Çareseriya ji bo hilberîna germa giran a MOSFET
1, Li ser sêwirana germê ya MOSFET-ê karekî baş bikin.
2, Bi têra xwe pêlavên germê yên alîkar lê zêde bikin.
3, Zencîreya germê bişon.
Dema şandinê: Gulan-19-2024
