Danasîna prensîba xebatê ya MOSFET-ên bi hêza bilind ên ku bi gelemperî têne bikar anîn

Îro li ser hêza bilind-bi gelemperî tê bikaranînMOSFETbi kurtî prensîba xebata wê bidin nasîn. Binêrin ka ew çawa karê xwe dike.

 

Metal-Oksîd-Semiconductor ango Metal-Oksîd-Semiconductor, bi rastî ev nav strukturê MOSFET-ê di çerxa entegre de vedibêje, yanî: di avahiyek diyarkirî ya cîhaza nîvconductor de, bi dîoksîta silicon û metal re, çêbûna ji dergehê.

 

Çavkanî û rijandina MOSFET-ê dijber in, her du jî qadên tîpa N-yê ne ku di paşgirek P-type de têne çêkirin. Di pir rewşan de, du dever yek in, hetta her du dawiya verastkirinê dê bandorê li performansa cîhazê neke, amûrek wusa sîmetrîk tête hesibandin.

 

Dabeşkirin: li gorî celebê materyalê kanalê û celebê deriyê îzolekirî yê her kanalek N û kanala P-yê du; li gorî moda rêvegirtinê: MOSFET di kêmbûn û zêdekirinê de tê dabeş kirin, ji ber vê yekê MOSFET di tinebûn û zêdekirina kanala N de tê dabeş kirin; Kêmkirina kanala P û zêdekirina çar kategoriyên sereke.

Prensîba xebatê ya MOSFET - taybetmendiyên avahîsaziyê yênMOSFETew bi tenê yek hilgirê polarîteyê (polîs) ku di guhêrbar de têkildar e, transîstorek yekpolar e. Mekanîzmaya rêvekirinê wekî MOSFET-a kêm-hêza kêm e, lê avahî xwedan cûdahiyek mezin e, MOSFET-a kêm-hêza amûrek veguhêz a horîzontal e, piraniya hêza MOSFET-a strukturê veguhêzbar, ku wekî VMOSFET jî tê zanîn, ku MOSFET-ê pir çêtir dike. voltaja amûrê û kapasîteya berxwedanê ya niha. Taybetmendiya sereke ev e ku di navbera deriyê metal û kanalê de qatek insulasyona silica heye, û ji ber vê yekê xwedan berxwedanek têketinê ya bilind e, lûle di du tansiyonên bilind ên n devera belavbûnê de çêdibe da ku kanalek n-type çêbike. Pêdivî ye ku MOSFET-ên zêdekirina n-kanal li derî bi biasiya pêş ve werin sepandin, û tenê gava ku voltaja çavkaniya dergehê ji voltaja tîrêjê ya kanala guhêrbar a ku ji hêla MOSFET-a kanala n-yê ve hatî hilberandin mezintir be. MOSFETên tîpa kêmkirina n-kanal MOSFETên n-kanal in ku tê de dema ku voltaja dergehê neyê sepandin kanalên rêvekirinê têne çêkirin (voltaja çavkaniya dergehê sifir e).

 

Prensîba xebitandinê ya MOSFET ev e ku meriv bi karanîna VGS-ê mîqdara "bara hilberandî" kontrol bike da ku rewşa kanala guhêzbar a ku ji hêla "bara hilandî" ve hatî çêkirin biguhezîne, û dûv re jî bigihîje mebesta kontrolkirina herika dravê. Di çêkirina lûleyan de, bi riya pêvajoya îzolasyonê ve di derketina hejmareke mezin ji îyonên erênî de, ji ber vê yekê li aliyê din ê navberê dikare bêtir barek neyînî were derxistin, ev barên neyînî berbi ketina zêde ya nepakîyan di N. herêmek ku bi damezrandina kanalek veguhêz ve girêdayî ye, tewra di VGS = 0 de jî nasnameyek mezin a leaksiyonê heye. dema ku voltaja dergehê tê guheztin, mîqdara barkirina ku di kanalê de tê guheztin jî tê guheztin, û firehiya kanala rêvebir û tengbûna kanalê û diguhere, û bi vî rengî ID-ya niha ya rijandinê bi voltaja dergehê re tê guhertin. ID niha bi voltaja derî diguhere.

 

Niha serlêdanaMOSFEThînbûna mirovan, karbidestiya xebatê, di heman demê de kalîteya jiyana me baştir kiriye. Em bi têgihîştina hin hêsan têgihîştina wê ya maqûltir heye. Ne tenê ew ê wekî amûrek were bikar anîn, bêtir têgihîştina taybetmendiyên wê, prensîba xebatê, ku dê di heman demê de pir kêfê bide me.