MOSFET-N-Kanal, Transîstora Metal-Oksîde-N-Kanal-Nîvconductor Field-Effect Transistor, cureyek girîng a MOSFET-ê ye. Ya jêrîn ravekirinek berfireh a MOSFET-ên kanala N-yê ye:
I. Avakirin û pêkhatina bingehîn
MOSFET-kanala N-ê ji hêmanên sereke yên jêrîn pêk tê:
Dergeh:termînala kontrolê, bi guheztina voltaja dergehê ji bo kontrolkirina kanala guhêrbar a di navbera çavkanî û avdanê de.· ·
Kanî:Derketina niha, bi gelemperî bi hêla neyînî ya dorpêçê ve girêdayî ye.· ·
Mezrîb: herikîna niha, bi gelemperî bi barkirina çerxê ve girêdayî ye.
Substrate:Bi gelemperî materyalek nîvconductor ya tîpa P, ku ji bo MOSFET-an wekî substrate tê bikar anîn.
Insulator：Di navbera dergeh û kanalê de cih digire, bi gelemperî ji silicon dioxide (SiO2) hatî çêkirin û wekî însulatorek tevdigere.
II. Prensîba operasyonê
Prensîba xebitandinê ya MOSFET-a kanala N-ê li ser bandora qada elektrîkê ye, ku bi vî rengî pêk tê:
Rewşa qutbûnê:Dema ku voltaja dergehê (Vgs) ji voltaja behrê (Vt) kêmtir be, di binê dergehê de kanalek rêvebir a tîpa N çê nabe, û ji ber vê yekê rewşa qutbûnê ya di navbera çavkanî û avdanê de li cîh e. û niha nikare biherike.
Rewşa rêvekirinê:Dema ku voltaja dergehê (Vgs) ji voltaja derî (Vt) bilintir be, kunên di binê dergehê de di binavê P-type de têne rijandin, û tebeqeyek kêmbûnê pêk tîne. Bi zêdebûna voltaja dergehê re, elektron ber bi rûxara substrata P-type ve dikişin, kanalek guheztinê ya N-yê ava dikin. Di vê nuqteyê de, rêyek di navbera çavkanî û avê de çêdibe û herik dikare biherike.
III. Cure û taybetmendiyên
MOSFET-yên kanala N-ê li gorî taybetmendiyên xwe dikarin di cûrbecûr cûda de werin dabeş kirin, wekî Mode-Pêşveçûn û Mode-Kêmkirin. Di nav wan de, MOSFET-yên Moda Pêşveçûn di rewşa qutbûnê de ne dema ku voltaja dergehê sifir e, û pêdivî ye ku voltaja dergehek erênî bicîh bikin da ku bi rêve bibin; dema ku voltaja dergehê sifir e, MOSFETên Depletion-Mode jixwe di rewşa rêvebir de ne.
MOSFET-yên kanala N-ê gelek taybetmendiyên hêja hene, wekî:
Impedance ketina bilind:Dergeh û kanala MOSFET-ê bi qatek îzolasyonê ve têne veqetandin, ku di encamê de impedansa têketinê ya pir bilind çêdibe.
Dengê kêm:Ji ber ku xebata MOSFET-an bi derzîlêdan û tevlihevkirina hilgirên hindikahî nagire, deng kêm e.
Mezaxtina hêza kêm: MOSFET hem di hal û hem jî di halên vekêşanê de xwedan elektrîkê kêm e.
Taybetmendiyên guheztina bilez:MOSFET xwedan leza guheztinê ya pir bilez in û ji bo çerxên frekansa bilind û çerxên dîjîtal ên leza bilind minasib in.
IV. Herêmên sepanê
MOSFET-yên kanala N-ê ji ber performansa xwe ya hêja bi berfirehî di cîhazên elektronîkî yên cihêreng de têne bikar anîn, wek:
Circuitên dîjîtal:Wekî hêmanek bingehîn a dorhêlên deriyê mantiqê, ew pêvajokirin û kontrolkirina îşaretên dîjîtal pêk tîne.
Çermê analog:Di çerxên analogê yên wekî amplifikator û parzûnan de wekî hêmanek sereke tê bikar anîn.
Elektronîkên Hêzê:Ji bo kontrolkirina amûrên elektronîkî yên hêzê yên wekî veguheztina dabînkirina hêzê û ajokarên motorê tê bikar anîn.
Herêmên din:Wekî ronahiya LED, elektronîkên otomotîvê, ragihandina bêhêl û qadên din jî bi berfirehî têne bikar anîn.
Bi kurtasî, MOSFET-kanala N, wekî amûrek girîng a nîvconductor, di teknolojiya elektronîkî ya nûjen de rolek bêhempa dilîze.
Dema şandinê: Sep-13-2024
