IGBT (Tranzîstora Bipolar a Deriyê Insulated) û MOSFET (Tranzîstora Metal-Oksîde-Nivconductor Field-Effect Transistor) du cîhazên nîvconductor yên hevpar in ku bi berfirehî di elektronîkên hêzê de têne bikar anîn. Digel ku her du jî di serîlêdanên cihêreng de hêmanên bingehîn in, ew di çend aliyan de pir cûda dibin. Li jêr cûdahiyên bingehîn di navbera IGBT û MOSFET de hene:
1. Prensîba Xebatê
- IGBT: IGBT hem taybetmendiyên BJT (Tranzîstora Bipolar Junction) û hem jî MOSFET-ê li hev dike, û wê dike amûrek hîbrîd. Ew bingeha BJT-ê bi voltaja dergehê MOSFET-ê kontrol dike, ku di encamê de rêveçûn û qutkirina BJT-ê kontrol dike. Her çend pêvajoyên rêveçûn û qutkirinê yên IGBT-ê bi rêkûpêk tevlihev in, ew windahiyên voltaja guheztinê kêm û tolerasyona voltaja bilind vedihewîne.
- MOSFET: MOSFET transîstorek bi bandora zeviyê ye ku bi voltaja dergehî ve niha di nîvconduktorê de kontrol dike. Dema ku voltaja dergehê ji voltaja çavkaniyê derbas dibe, tebeqeyek rêvebir çêdibe, rê dide ku herikîn biherike. Berevajî vê, dema ku voltaja dergehê li jêr behrê be, tebeqeya gerîdok winda dibe, û niha nikare biherike. Xebata MOSFET-ê bi leza guheztina bilez bi nisbeten hêsan e.
2. Herêmên Serîlêdanê
- IGBT: Ji ber tolerasyona xweya voltaja bilind, windabûna voltaja guheztinê ya kêm, û performansa guheztina bilez, IGBT bi taybetî ji bo sepanên bi hêza bilind, kêm-windakirinê yên wekî guhêrbar, ajokarên motorê, makîneyên welding, û dabînkirina hêzê ya bênavber (UPS) maqûl e. . Di van serîlêdanan de, IGBT bi karîgerî operasyonên guheztina voltaja bilind û kanûna bilind birêve dibe.
- MOSFET: MOSFET, bi bersiva xweya bilez, berxwedana têketina bilind, performansa veguheztina aram, û lêçûnek kêm, bi berfirehî di sepanên kêm-hêza, guheztina bilez de wekî dabînkirina hêzê, ronahiyê, amplifikatorên deng, û çerxên mantiqê tê bikar anîn. . MOSFET di sepanên kêm-hêza û voltaja kêm de bi taybetî baş dixebite.
3. Taybetmendiyên Performansê
- IGBT: IGBT di sepanên voltaja bilind û herikîna bilind de ji ber şiyana wê ya hilgirtina hêzek girîng bi windahiyên guheztinê kêmtir e, lê ew li gorî MOSFET-an leza guhastinê hêdîtir e.
- MOSFET: MOSFET bi leza guheztinê ya zûtir, di sepanên voltaja nizm de berberiya bilindtir, û di frekansên guheztinê yên bilind de windahiyên hêzê kêm têne diyar kirin.
4. Veguherandin
IGBT û MOSFET ji bo mebestên cihêreng hatine sêwirandin û bikar anîn û bi gelemperî nayên guheztin. Hilbijartina kîjan amûrê bikar bîne bi serîlêdana taybetî, daxwazên performansê, û lêçûnên lêçûnê ve girêdayî ye.
Xelasî
IGBT û MOSFET di warê prensîba xebatê, qadên serîlêdanê, û taybetmendiyên performansê de pir cûda dibin. Fêmkirina van cûdahiyan di hilbijartina amûra guncan de ji bo sêwiranên elektronîkî yên hêzê, peydakirina performansa çêtirîn û lêçûn-kêrhatî dibe alîkar.
Dema şandinê: Sep-21-2024
