Circuit ajokera MOSFET a Pakêta Mezin

Berî her tiştî, celeb û avahiyek MOSFET, MOSFET FET e (yek din JFET e), dikare di nav celebek zêdekirî an kêmbûyî, kanala P an kanala N-ê de bi tevahî çar celeb were çêkirin, lê serîlêdana rastîn a tenê N-ya zêdekirî. -MOSFET-yên kanal û MOSFET-yên kanala P-ya pêşkeftî, ji ber vê yekê bi gelemperî wekî NMOSFET têne binav kirin, an jî PMOSFET bi vî rengî bi gelemperî tê gotin NMOSFET, an PMOSFET van her du celeban vedibêje. Ji bo van her du celeb MOSFET-ên pêşkeftî, NMOSFET ji ber berxwedana wan a kêm û hêsankirina çêkirinê bi gelemperî têne bikar anîn. Ji ber vê yekê, NMOSFET bi gelemperî di veguheztina hêzê û sepanên ajokera motorê de têne bikar anîn, û danasîna jêrîn jî li ser NMOSFET-an disekine. kapasîteya parazît di navbera her sê pîlan de heyeMOSFET, ku ne hewce ye, lê ji ber sînorên pêvajoya hilberînê. Hebûna kapasîteya parazît dîzaynkirin an hilbijartina çerxa ajokerê hinekî dijwar dike. Di navbera avjen û çavkaniyê de dîodek parazît heye. Ji vê re dioda laş tê gotin û di ajotina barkêşên înduktîf ên wekî motoran de girîng e. Bi awayê, dioda laş tenê di MOSFET-ên kesane de heye û bi gelemperî di hundurê çîpek IC-ê de tune.

Niha yaMOSFETsepanên voltaja nizm ajotin, dema karanîna dabînkirina hêzê ya 5V, vê carê heke hûn strûktûra pola totem a kevneşopî bikar bînin, ji ber ku transîstor bi qasî 0,7V daketina voltaja be, di encamê de dawiya rastîn li dergehê li ser voltaja hatî zêdekirin tenê ye. 4.3 V. Di vê demê de, em li ser hebûna hin xetereyan voltaja dergehê ya 4.5V ya MOSFET-ê hilbijêrin. Heman pirsgirêk di karanîna 3V an jî carinan dabînkirina hêzê ya kêm-voltaja de pêk tê. Voltaja dualî di hin dorhêlên kontrolê de tê bikar anîn ku beşa mantiqê voltaja dîjîtal a tîpîk 5V an 3.3V bikar tîne û beşa hêzê 12V an jî hêj bêtir bikar tîne. Du voltaj bi karanîna zemînek hevpar ve girêdayî ye. Ev pêdivî ye ku meriv qarekterek bikar bîne ku destûrê dide aliyê voltaja nizm ku MOSFET-ê li aliyê voltaja bilind bi bandor kontrol bike, dema ku MOSFET li aliyê voltaja bilind dê bi heman pirsgirêkên ku di 1 û 2-an de hatine destnîşan kirin re rû bi rû bimîne.

Di her sê rewşan de, avahiya pola totem nikare hewcedariyên derketinê bicîh bîne, û gelek IC-yên ajokerê MOSFET-ê yên derveyî-rafîkê xuya nakin ku avahiyek sînordar a voltaja dergehê tê de ne. Voltaja têketinê ne nirxek sabît e, ew bi dem an faktorên din re diguhere. Ev guheztin dibe sedem ku voltaja ajotinê ku ji hêla pêla PWM ve ji MOSFET re tê peyda kirin bêîstîkrar be. Ji bo ku MOSFET ji voltaja dergehê bilind ewle bibe, gelek MOSFET xwedan regulatorên voltajê ne ku bi zorê mezinahiya voltaja dergehê sînordar bikin. Di vê rewşê de, gava ku voltaja ajotinê ji rêgeza voltajê bêtir peyda dike, ew ê di heman demê de bibe sedema xerckirinek mezin a hêzek statîk, heke hûn bi tenê prensîba dabeşkera voltaja berxwedanê bikar bînin da ku voltaja dergehê kêm bikin, dê voltaja derî kêm bibe. voltaja têketinê, yaMOSFETbaş dixebite, dema ku voltaja dergehê têrê nake ku bibe sedema guheztinek kêmtir ji tevahî, voltaja têketinê kêm dibe, bi vî rengî xerckirina hêzê zêde dike.

Li vir dorhêla nisbeten hevpar tenê ji bo dorhêla ajokerê NMOSFET ku analîzek hêsan bike: Vl û Vh dabînkirina hêzê ya nizm û paşîn in, du voltaj dikarin yek bin, lê divê Vl ji Vh-ê derbas nebe. Q1 û Q2 stûnek totem a berevajîkirî ava dikin, ku ji bo têgihîştina îzolasyonê tê bikar anîn, û di heman demê de ji bo piştrastkirina ku du lûleya ajokerê Q3 û Q4 dê ne di heman demê de rêve bibin. R2 û R3 voltaja PWM peyda dikin R2 û R3 referansa voltaja PWM peyda dikin, bi guheztina vê referansê, hûn dikarin bihêlin ku karûbarê di forma pêla nîşana PWM-ê de bi pozîsyona tîrêj û rasterast e. Q3 û Q4 ji bo peydakirina herikîna ajotinê têne bikar anîn, ji ber dema-demê, Q3 û Q4 bi Vh û GND-ê ve girêdayî tenê kêmek voltaja Vce ne, ev daketina voltajê bi gelemperî tenê 0.3V an wusa ye, pir kêmtir e. ji 0.7V Vce R5 û R6 berxwedêrên vegerê ne, ku ji bo dergehê R5 û R6 têne bikar anîn berxwedêrên vegerê ne ku ji bo nimûneya voltaja dergehê têne bikar anîn, ku ev e. Dûv re di Q5 re derbas bû da ku li ser bingehên Q1 û Q2 bertekek neyînî ya bihêz çêbike, bi vî rengî voltaja dergehê bi nirxek bêdawî ve sînordar dike. Ev nirx dikare ji hêla R5 û R6 ve were sererast kirin. Di dawiyê de, R1 sînorkirina niha ya bingehîn ji Q3 û Q4 re peyda dike, û R4 ji MOSFET-an re sînorkirina heyama dergehê peyda dike, ku ew sînorkirina Qeşaya Q3Q4 ye. Ger hewce be, kapasîtorek lezkirinê dikare li jor R4 paralel were girêdan.