Meriv çawa pêşî li têkçûna MOSFET digire

Demê Post: 29-ê Tîrmeh-2024

Di vê qonaxê de di asta serîlêdana pîşesaziyê de, yekem hilberên adapterê cîhaza elektronîkî ya xerîdar a rêzkirî ye. Li gorî karanîna sereke ya têgihîştina MOSFET, daxwaziya MOSFET-a ku di rêza duyemîn de cih digire dayika komputerê, NB, adapterê hêza profesyonel a komputerê, dîmendera LCD û tiştên din e. Li gel meyla pêşkeftinê ya şert û mercên bingehîn ên neteweyî, motherboardên komputerê, adapterên hêza profesyonel a computer, çavdêrên LCD li ser hewcedariyênMOSFETs pêdivî ye ku ji rewşa adapterên elektronîkî yên xerîdar wêdetir biçin.

Meriv çawa pêşî li têkçûna MOSFET digire

Li jêr eMOS şeş sedemên sereke nederbasdar in.

1. Nederbasdarbûna erdhejê (voltaja xebitandinê ya nederbasdar), ku pir caran wekî lehiya di navbera çavkaniya voltaja xebitandinê ya BVdss de ji nihaya binavkirî ya MOSFET-ê derbas dibe, û ji wêdetir fonksiyonek diyarkirî ya ku dibe sedema MOSFET-a nederbasdar dike.

2.SOA nederbasdar (herikîna hêzê nederbasdar e), hem li ser qada xebitandina ewledar a MOSFET-ê ya ku ji hêla nederbasdar ve hatî çêkirin, li Id-ê li ser taybetmendiyên cîhazê û nederbasdar tê dabeş kirin û ID-ya wê pir mezin e, xitimîna zêde ya cîhazê kombûna termal a demdirêj a ku ji ber nederbasbûnê ve hatî çêkirin.

3. Diode laşê nederbasdar. Di pirê de, LLC û yên din ên bi bandor li ser dioda laş de ji bo domandina topolojiya torê pêk bînin, ji ber ku dioda laş ji betalbûnê bandor dibe.

Meriv çawa pêşî li têkçûna MOSFET digire (1)

4. Rezonansa rêza nederbasdar. Di serîlêdana rêzê ya zencîreyê de, pîvanên parazît ên dergeh û dabînkirina hêzê rê li ber guheztinên ku ji ber betalbûnê ve têne çêkirin.

5. Induction Electrostatic nederbasdar e. Di zivistan û payîzê de, ji ber laş û makîne û amûr ji ber înduksyona elektrostatîk a ku ji hêla cîhazê ve dibe sedema nederbasdar e.

6. voltaja dergehê nederbasdar. Ji ber ku derî lûtkeyên voltaja xebatê ne normal bû, û rê li ber qata oksîjenê ya dergehê nederbasdar e.