Meriv çawa MOSFET-a hêza bilind di nav şewitandinê de dişewitîne

(1) MOSFET hêmanek voltajê manîpuleker e, dema ku transîstor hêmanek manîpulasyonê ya niha ye. Di şiyana ajotinê de peyda nabe, niha ajotinê pir hindik e, divê were hilbijartinMOSFET; û di voltaja sînyalê de kêm e, û soz da ku ji şert û mercên qonaxa ajotinê ya makîneya masîgiriyê ya elektrîkî bêtir niha bigire, divê transîstor were hilbijartin.

(2) MOSFET karanîna piraniya hilgirên guhêrbar e, bi vî rengî amûra yekpolar tê gotin, dema ku transîstor ev e ku pirraniya hilgiran heye, lê di heman demê de karanîna hejmareke piçûk a hilgirên hilgirê jî heye. Jê re amûra bipolar tê gotin.

(3) HinMOSFET çavkanî û avdan dikare ji bo karanîna voltaja dergehê were guheztin, dikare erênî an neyînî be, nermbûna ji transîstorê baş e.

(4) MOSFET dikare di rewşek pir piçûk û voltaja pir kêm de bixebite, û pêvajoya hilberîna wê dikare pir rehet be ku gelek MOSFET di çîpek silicon de yek bike, ji ber vê yekê MOSFET-ên di çerxên yekbûyî yên mezin de bi berfirehî hatine bikar anîn.

(5) MOSFET xwedan avantajên impedansa têketina bilind û dengê kêm e, ji ber vê yekê ew di cûrbecûr alavên kemîna elektronîkî de jî bi berfirehî tê bikar anîn. Bi taybetî bi lûleya bandora zeviyê re ku meriv tevaya têketina alavên elektronîkî, qonaxa derketinê bike, meriv dikare transîstora gelemperî bigihîje fonksiyonê dijwar e.

(6)MOSFET li du kategoriyan têne dabeş kirin: celebê girêdana sor û celebê deriyê îzolekirî, û prensîbên manipulasyona wan yek in.

Di rastiyê de, triode erzantir û hêsantir e ku bikar bîne, bi gelemperî di masîgirên kevnar ên frekansa nizm de tê bikar anîn, MOSFET ji bo çerxên leza bilind ên frekansa bilind, bûyerên dema bilind, ji ber vê yekê celebek nû ya masîgirên ultrasonîk ên frekansa bilind, bingehîn e. ew eMOS mezin. Bi gelemperî, carinan kêm-mesref, karanîna gelemperî ya yekem a ku karanîna transîstoran difikire, ne ku hûn dixwazin MOS-ê bifikirin.

MOSFET sedemên hilweşînê ye û çareseriyên jêrîn hene

Pêşîn, berxwedana têketina MOSFET-ê bi xwe pir zêde ye, û derî - kapasîteya nav-elektrodê ya çavkaniyê pir piçûk e, ji ber vê yekê ew ji zeviyên elektromagnetîk ên derveyî an jî înduktoriya elektrostatîk pir hesas e û barkirî ye, û dibe ku hêjmarek piçûk çêbibe. di kapasîteya nav-elektrodê ya voltaja bilind a guncan de (U = Q / C), dê boriyek xera bibe. Her çend têketina MOS-ê ya makîneya masîgiriyê ya elektrîkî xwedan tedbîrên lênihêrîna antî-statîk e, lê dîsa jî pêdivî ye ku bi baldarî were derman kirin, di hilanîn û radestkirina baştirîn konteynerên metal an pakkirina materyalên guhêzbar de, nexin hundurê êrîşa voltaja bilind a statîk. materyalên kîmyewî an fabrîkên fiber kîmyewî. Civîn, komîsyon, tişt, xuyang, qereqola xebatê û hwd divê zemînek berbiçav be. Ji bo ku xwe ji zirara destwerdana elektrostatîk a operator dûr bixin, wek mînak divê neylon, cil û bergên fîberê kîmyewî, destan an tiştek tiştek berî ku dest li bloka yekbûyî negirin, çêtirîn e ku meriv erdê ve girêbide. Ji bo rastkirin û çewisandin an weldakirina destan a alavan, karanîna alavan ji bo zemîna berbiçav pêdivî ye.