Taybetmendiyên MOSFET-ên pêşkeftî

ErkMOSFET "MOSFET" ji "Tranzîstora Bandora Qada Nîvkoduktora Metal" ya ku tê bikaranîn ji Îngilîstanê ve girêdayî ye. Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel derî het materiaal materiaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht devolnaple onderverdeeld in N-kanaal type en P-kanaal type.

Hêza peyva MOSFET-ê li ser het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten Parametreya RDS(ON) ya ji bo pênasekirina astengkirina astengkirina karkeran; RDS(ON) ji bo FET-toepassingê ya ku ji bo OR-ê ve girêdayî ye, amûrek karekterîstîkî ye. Rêbernameya Agahdariya Daneyên RDS(ON) di pêwendiya pêwendiya paşîn a dergehê de, VGS, li derî derî ji vermogensschakelaar vloeit de, RDS(ON) bi statîstîk gegevensparimeter ve girêdayî voldoende ajokera dergehê ye.

Di heman demê de MOSFET-ê ya çêkirî ya ku ji hêla mînîmal ve girêdayî ye ku bi taybetmendiyên hindiktirîn ve girêdayî ye, pêdivî ye ku ew pêdivî ye ku pêdivî ye. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET's paralel dereng werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. Di nav MOSFET'an de li ser RDS(ON) ji nû ve li ser peyvên gereduceerd vegere.

Naast RDS(ON), di pêvajoyek MOSFET-ê de hilbijartî ye, di heman demê de pîvanên MOSFET-ê yên ku ji hêla MOSFET-ê ve têne hilbijartî têne xuyang kirin, ji bo vebijarkên bijartî ne. Di rêgezên ku li ser rêgezên SOA-grafîkan de di Rêbernameya Agahdariya Daneyê de hatine nivîsandin, di nav hevrêziya drainstroom-ê de û drain-bron bedrijfsspanning beschrijft de derketin. Vegere grootste deel definieert SOA de voedingspanning en stroom warbij de MOSFET veilig kan werken.

Ji bo celebên şert û mercên barkirinê yên li jor, piştî ku hûn voltaja xebitandinê ya mezintir texmîn bikin (an pîvandin), û dûv re jî marjînalek ji% 20 heta 30% bihêlin, hûn dikarin nirxa VDS-a niha ya binavkirî ya hewce ya MOSFET-ê diyar bikin. Li vir divê bê gotin ku, ji bo ku lêçûnek bihêztir û taybetmendiyên nermtir peyda bike, dikare di rêza AC-ê de diodên heyî û înduktorên heyî di girtina pêkhateya lûleya kontrolê ya heyî de hilbijêrin, ji enerjiya kînetîk a niha ya înduktîf derxînin da ku parêzê biparêzin. MOSFET. niha ya binavkirî zelal e, niha dikare were derxistin. Lê li vir pêdivî ye ku du parameteran li ber çavan bigirin: yek nirxa herikê ya di xebata domdar de û nirxa herî bilind a pileya herika yekane (Spike û Surge) ye, ev her du parameter ji bo ku hûn biryar bidin ka hûn çiqas nirxa binavkirî hilbijêrin nirxa niha.