Nasname û ceribandina bingehîn a MOSFET

1.Junction MOSFET nasnameya pin

Deriyê yaMOSFET bingeha transîstorê ye, û avdan û jêder berhevkar û emiterê ya netransîstora têkildar. Multimeter ber bi R × 1k gear, bi du pênûsan re ji bo pîvandina berxwedana pêş û berevajî ya di navbera her du pîneyan de. Gava ku berxwedanek pêş du-pin = berxwedana berevajî = KΩ, ango, du pin ji bo çavkaniya S-yê û jêderxistina D-yê, mayî ya pînê deriyê G e. Heke ew 4-pin e.girêdana MOSFET, pola din jî bikaranîna mertalê zevî ye.

Nasname û ceribandina bingehîn a MOSFET 拷贝

2.Deriyê diyar bikin　

Bi pênûsa reş a multîmeterê re ku MOSFET-ê elektrodek bêserûber, pênûsa sor bi du elektrodên din ve bikişîne. Ger her du berxwedana pîvandî piçûk be, nîşan dide ku her du jî berxwedana erênî ne, boriyek ji MOSFET-a kanala N-yê ye, heman têkiliya pênûsa reş jî derî ye.

Pêvajoya hilberînê biryar da ku avdan û çavkaniya MOSFET-ê sîmetrîk e, û dikare bi hevûdu re were guheztin, û dê bandorê li karanîna çerxê neke, çerx jî di vê demê de normal e, ji ber vê yekê ne hewce ye ku biçin ji bo cudahiya zêde. Berxwedana di navbera avdan û çavkaniyê de bi qasî çend hezar ohms e. Nikare vê rêbazê bikar bîne da ku dergehê dergehê MOSFET-ê yê îzolekirî diyar bike. Ji ber ku berxwedana têketina vê MOSFET-ê zehf zêde ye, û kapasîteya nav-polar a di navbera derî û çavkaniyê de pir piçûk e, pîvandina bi qasî piçûkek piçûk dikare li ser nav-polar were çêkirin. kapasîteya voltaja pir bilind, MOSFET dê pir hêsan zirarê bike.

Nasname û ceribandina bingehîn a MOSFET (1)

3.Texmînkirina kapasîteya zêdekirina MOSFETan

Dema ku multimeter li ser R × 100 tête danîn, pênûsa sor bikar bînin da ku çavkaniya S-yê ve girêbidin, û pênûsa reş bikar bînin da ku dravê D-yê girêbidin, ku mîna lêzêdekirina voltaja 1.5V li MOSFET-ê ye. Di vê demê de derzî nirxa berxwedanê ya di navbera pola DS de destnîşan dike. Di vê demê de, bi tiliyek ku dergehê G biçikîne, voltaja laş wekî îşaretek ketina dergehê ye. Ji ber rola zêdekirina MOSFET, ID û UDS dê biguhezin, tê vê wateyê ku berxwedana di navbera pola DS de guherî ye, em dikarin bibînin ku derzî xwedan amplîtûda guheztinê ya mezin e. Ger destê derî bişkîne, hejandina derziyê pir piçûk e, yanî şiyana zêdekirina MOSFET-ê nisbeten qels e; ger derziyê karîgeriyek herî piçûk nebe, nîşan dide ku MOSFET zerar bûye.