WST8205 Dual N-Channel 20V 5.8A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

Teknolojiya meya pêşkeftî taybetmendiyên nûjen vedihewîne ku vê cîhazê ji yên din di sûkê de vediqetîne.Digel xendekên şaneya bilind, ev teknolojiyek yekbûna hêmanan çêdike, ku berbi performans û karîgeriyê zêde dibe. Yek avantajek berbiçav a vê cîhazê barkirina wê ya dergehê pir kêm e.Wekî encamek, ew hewceyê enerjiyek hindiktirîn hewce dike ku di navbera rewşên xwe yên çalak û nekêşanê de biguhezîne, di encamê de mezaxtina hêzê kêm dibe û karîgeriya giştî baştir dibe.Ev taybetmendiya lêdana dergehê kêm wê ji bo serîlêdanên ku daxwaza veguheztina bilez û kontrolek rastîn dikin vebijarkek îdeal dike. Wekî din, cîhaza me di kêmkirina bandorên Cdv/dt de bi pêş dikeve.Cdv/dt, an jî rêjeya guherîna voltaja drain-to-çavkaniyê bi demê re, dikare bibe sedema bandorên nexwestî yên wekî tîrêjên voltê û mudaxeleyên elektromagnetîk.Bi kêmkirina bandorker van bandoran, cîhaza me operasyona pêbawer û bi îstîqrar, tewra di hawîrdorên daxwaz û dînamîkî de misoger dike. Ji xeynî jêhatiya xwe ya teknîkî, ev cîhaz di heman demê de jîngehê ye.Ew bi domdarî di hişê xwe de hatî sêwirandin, faktorên wekî karbidestiya hêzê û dirêjbûnê li ber çavan digire.Bi xebitandina enerjiyê ya herî zêde, ev cîhaz şopa xweya karbonê kêm dike û beşdarî pêşerojek kesktir dibe. Bi kurtahî, cîhaza me teknolojiya pêşkeftî bi xendekên tîrêjiya hucreyê ya bilind, barkirina dergehek zehf kêm, û kêmkirina bandorên Cdv/dt-ê yên hêja dihewîne.Bi sêwirana xweya hawirdorparêz, ew ne tenê performansa û karbidestiya bilind peyda dike, lê di cîhana îroyîn de jî bi hewcedariya mezin a çareseriyên domdar re hevaheng dike.