WST4041 P-Channel -40V -6A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WST4041

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

Nasname:-6A

Qenal:P-Channel

Pakêt:SOT-23-3L

Kurteya Hilberê:WST4041 MOSFET xwedan voltaja -40V, niha -6A, berxwedana 30mΩ, P-Kanala, û pakkirina SOT-23-3L heye.

Serlêdan:Cixareyên elektronîkî, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk, elektronîkên xerîdar.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WST4041 MOSFETek P-kanala hêzdar e ku ji bo karanîna di veguhezerên buckê yên hevdem de hatî çêkirin.Ew xwedan tîrêjek hucreyek bilind e ku destûrê dide RDSON û barkirina dergehê hêja.WST4041 daxwazên standardên RoHS û Hilbera Kesk pêk tîne, û ew ji bo performansa pêbawer bi 100% garantiya EAS re tê.

Features

Teknolojiya Xendekên Pêşkeftî tîrêjiya hucreyê ya bilind û barê deriyê super kêm vedihewîne, bi girîngî bandora CdV/dt kêm dike.Amûrên me bi 100% garantiya EAS û vebijarkên hawirdorparêz têne.

Applications

Veguhezkara buckê ya hemdem a bi frekansa bilind, pergala hêza DC-DC ya torê, guheztina barkirinê, e-cixare, kontrolker, amûrên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, û elektronîkên xerîdar.

hejmara materyalê ya têkildar

AOS AO3409 AOS3403 AOS3421 AOS3421E AO3401 AOS3401A,dintek DTS4501,ncepower NCE40P05Y,

Parametreyên girîng

Nîşan	Parametre	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-40	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25℃	Berdewam Drain Current, VGS @ -10V1	-6.0	A
ID@TC=100℃	Berdewam Drain Current, VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Current Drain Pulsed2	-24	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	12	mJ
IAS	Avalanche Current	-7	A
PD@TC=25℃	Tevahiya Hêzê Disipation4	1.4	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 150	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 150	℃

Nîşan	Parametre	Şertên	Min.	Tîp.	Max.	Yekbûn
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Germahiya Germiya	Navnîşana 25℃, ID=-1mA	---	-0.03	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V, ID=-3A	---	30	40	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-1A	---	40	58	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS, ID =-250uA	-0.8	-1.2	-2.2	V
△VGS(th)	VGS (th) Germahiya Germiya	VGS=VDS, ID =-250uA	---	4.56	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-28V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-3A	---	15	---	S
Rg	Berxwedana Gate	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	3.8	---	Ω
Qg	Tevahiya Barkirina Deriyê (-4,5V)	VDS=-18V, VGS=-10V, ID=-4A	---	9.5	---	nC
Qgs	Dergeh-Çavkanî Charge		---	1.7	---
Qgd	Dergeh-Drain Charge		---	2.0	---
Td(li ser)	Demjimêra Derengiya Vemirandinê	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A, RL=15Ω	---	8	---	ns
Tr	Dema Rabûnê		---	10	---
Td(off)	Dema Derengmayînê Vemirandin		---	18	---
Tf	Fall Time		---	8	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	420	---	pF
Coss	Capacitance Output		---	77	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	55	---