WST2088A N-kanala 20V 7.5A SOT-23-3L WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WST2088A

BVDSS:20V

RDSON:10,7 mΩ

Nasname:7.5A

Qenal:N-kanala

Pakêt:SOT-23-3L

Kurteya Hilberê:Voltaja WST2088A MOSFET 20V e, niha 7.5A ye, berxwedan 10.7mΩ ye, kanal kanalek N e, û pakêt SOT-23-3L e.

Serlêdan:Cixareyên elektronîkî, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, elektronîkên xerîdar, hwd.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WST2088A N-ch MOSFET-ên xendeka performansa herî bilind e ku bi dendika hucreyê ya zehf bilind e, ku ji bo piraniya serîlêdanên guheztina hêza piçûk û guheztina barkirinê RDSON û bara dergehê hêja peyda dike. WST2088A hewcedariya RoHS û Hilbera Kesk bi pêbaweriya fonksiyona tevahî pejirandî pêk tîne.

Features

Teknolojiya xendeqê ya şaneya bilind a pêşkeftî, Barkirina Deriyê Super Low, Kêmbûna bandora Cdv/dt ya hêja, Amûra Kesk Berdest e

Applications

Serlêdana veguheztina hêzê, dorhêlên guhezbar û frekansa bilind, dabînkirina hêzê ya bênavber, cixareya elektronîkî, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, elektronîkên xerîdar, hwd.

hejmara materyalê ya têkildar

AO AO3416, LI SER NTR3C21NZ, VISHAY Si2312CDS, Nxperian PMV16XN, hwd.

Parametreyên girîng

Taybetmendiyên Elektrîkê (TJ=25 ℃, heya ku wekî din neyê destnîşan kirin)

Nîşan	Parametre	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	V
ID@Tc=25℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 4.5V	7.5	A
ID@Tc=70℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 4.5V	4.5	A
IDP	Pulsed Drain Current	24	A
PD@TA=25℃	Tevahiya Tevahiya Hêzê	1.25	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 150	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 150	℃

Nîşan	Parametre	Şertên	Min.	Tîp.	Max.	Yekbûn
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Germahiya Germiya	Navnîşana 25℃, ID=1mA	---	0.018	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=6A	---	10.7	14	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2					mΩ
		VGS=2.5V, ID=5A	---	12.8	17
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS, ID =250uA	0.4	0.63	1.2	V
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V.	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±12V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Qg	Tevahiya Barê Gate	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=6A	---	10	---	nC
Qgs	Dergeh-Çavkanî Charge		---	1.6	---
Qgd	Dergeh-Drain Charge		---	3.4	---
Td(li ser)	Demjimêra Dereng-On	VDS=10V, VGS=4.5V,RG=3.3Ω ID=1A	---	8	---	ns
Tr	Dema Rabûnê		---	15	---
Td(off)	Dema Derengiya Vemirandinê		---	33	---
Tf	Fall Time		---	13	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	590	---	pF
Coss	Capacitance Output		---	125	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	90	---