WST2078 N&P Channel 20V/-20V 3.8A/-4.5A SOT-23-6L WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WST2078

BVDSS:20V/-20V

RDSON:45mΩ/65mΩ

Nasname:3.8A/-4.5A

Qenal:N&P Channel

Pakêt:SOT-23-6L

Kurteya Hilberê:WST2078 MOSFET rêjeyên voltaja 20V û -20V heye.Ew dikare herikên 3.8A û -4.5A bi rê ve bibe, û xwedî nirxên berxwedanê yên 45mΩ û 65mΩ ye.MOSFET hem kapasîteyên N&P Channel heye û hem jî di pakêtek SOT-23-6L de tê.

Serlêdan:E-cixare, kontrolker, hilberên dîjîtal, amûr, û elektronîkên xerîdar.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WST2078 ji bo guheztinên hêza piçûk û sepanên barkirinê MOSFET-a çêtirîn e.Ew xwedan tîrêjek hucreyek bilind e ku RDSON û barê dergehê hêja peyda dike.Ew hewcedariyên RoHS û Hilbera Kesk pêk tîne û ji bo pêbaweriya fonksiyonê ya tevahî hatî pejirandin.

Features

Teknolojiya pêşkeftî ya bi xendekên dendika hucreyê ya bilind, berdêla dergehê pir kêm, û kêmkirina bandorên Cdv/dt.Ev cîhaz di heman demê de jîngehê ye.

Applications

Veguheztina hêza piçûk a hemdem a bi frekansa bilind ji bo karanîna di MB/NB/UMPC/VGA, tora pergalên hêzê yên DC-DC, guhêrbarên barkirinê, e-cixare, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, û xerîdar de bêkêmasî ye. elektronîk.

hejmara materyalê ya têkildar

AOS AO6604 AO6608,VISHAY Si3585CDV,PANJIT PJS6601.

Parametreyên girîng

Nîşan	Parametre	Rating		Units
Nîşan	Parametre	N-Channel	P-Channel	Units
VDS	Drain-Source Voltage	20	-20	V
VGS	Gate-Source Voltage	±12	±12	V
ID@Tc=25℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 4.5V1	3.8	-4.5	A
ID@Tc=70℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 4.5V1	2.8	-2.6	A
IDM	Current Drain Pulsed2	20	-13	A
PD@TA=25℃	Tevahiya Hêza Belavkirinê3	1.4	1.4	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 150	-55 heta 150	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 150	-55 heta 150	℃

Nîşan	Parametre	Şertên	Min.	Tîp.	Max.	Yekbûn
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Germahiya Germiya	Navnîşana 25℃, ID=1mA	---	0.024	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=3A	---	45	55	mΩ
		VGS=2.5V, ID=1A	---	60	80
		VGS=1.8V, ID=1A	---	85	120
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS, ID =250uA	0.5	0.7	1	V
△VGS(th)	VGS (th) Germahiya Germiya	VGS=VDS, ID =250uA	---	-2.51	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=16V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±8V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=1A	---	8	---	S
Rg	Berxwedana Gate	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	2.5	3.5	Ω
Qg	Tevahiya Barkirina Deriyê (4.5V)	VDS=10V, VGS=10V, ID=3A	---	7.8	---	nC
Qgs	Dergeh-Çavkanî Charge		---	1.5	---
Qgd	Dergeh-Drain Charge		---	2.1	---
Td(li ser)	Demjimêra Derengiya Vemirandinê	VDD=10V, VGEN=4.5V, RG=6Ω ID=3A RL=10Ω	---	2.4	4.3	ns
Tr	Dema Rabûnê		---	13	23
Td(off)	Dema Derengmayînê Vemirandin		---	15	28
Tf	Fall Time		---	3	5.5
Ciss	Input Capacitance	VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz	---	450	---	pF
Coss	Capacitance Output		---	51	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	52	---