WSP4888 Dual N-Channel 30V 9.8A SOP-8 WINSOK MOSFET
Danasîna Giştî
WSP4888 transîstorek bi performansa bilind e ku bi avahiyek şaneyek zexm heye, ji bo karanîna di veguhezerên buckê yên hevdem de îdeal e. Ew bi RDSON û berdêlên dergehê hêja pesnê xwe dide, ku ew ji bo van serîlêdanan vebijarkek sereke dike. Wekî din, WSP4888 hem hewcedariyên RoHS û hem jî Hilbera Kesk pêk tîne û ji bo fonksiyona pêbawer bi 100% garantiya EAS re tê.
Features
Teknolojiya Xendekên Pêşkeftî tîrêjiya hucreyê ya bilind û barê deriyê super kêm vedihewîne, bi girîngî bandora CdV/dt kêm dike. Amûrên me bi 100% garantiya EAS û vebijarkên hawirdorparêz têne.
MOSFETên me di bin tedbîrên hişk ên kontrolkirina kalîteyê de ne da ku pê ewle bibin ku ew standardên pîşesaziyê yên herî bilind bicîh tînin. Her yekînek ji bo performans, domdarî û pêbaweriyê bi tevahî tê ceribandin, ku jiyanek hilberek dirêj peyda dike. Sêwirana wê ya hişk dihêle ku ew li ber şert û mercên xebatê yên dijwar bisekine, fonksiyona alavên bênavber misoger dike.
Bihayê hevrikî: Tevî qalîteya wan a bilind, MOSFET-ên me pir bihayê pêşbaziyê ne, bêyî ku tawîz bidin performansê, teserûfa lêçûnek girîng peyda dikin. Em bawer dikin ku divê hemî xerîdar bigihîjin hilberên kalîteya bilind, û stratejiya bihayê me vê pabendbûnê nîşan dide.
Lihevhatina berfereh: MOSFETên me bi cûrbecûr pergalên elektronîkî re hevaheng in, ku wan ji bo hilberîner û bikarhênerên dawîn vebijarkek piralî dike. Ew bêkêmasî di pergalên heyî de yek dibe, bêyî ku hewcedariya guheztinên sêwiranê yên mezin hewce bike performansa giştî zêde dike.
Applications
Veguhezkarê Buckê Hevdem-Xala Barkirinê ya Bi Frekansa Bilind ji bo karanîna di pergalên MB/NB/UMPC/VGA, Pergalên Hêza DC-DC yên Tora, Guheskên Barkirinê, E-cixare, Chargerên Bêtêl, Motor, Drone, Amûrên bijîjkî, Kargêrên Otomobîlan, Kontrolker , Berhemên Dîjîtal, Amûrên Xanî yên Biçûk, û Elektronîkên Serfkaran.
hejmara materyalê ya têkildar
AOS AO4832 AO4838 AO4914,ON NTMS4916N,VISHAY Si4128DY,INFINEON BSO150N03MD G,Sinopower SM4803DSK,dintek DTM4926 DTM4936,ruichips RU30D10H
Parametreyên girîng
Nîşan | Parametre | Rating | Units |
VDS | Drain-Source Voltage | 30 | V |
VGS | Gate-Source Voltage | ±20 | V |
ID@TC=25℃ | Berdewam Drain Current, VGS @ 10V1 | 9.8 | A |
ID@TC=70℃ | Berdewam Drain Current, VGS @ 10V1 | 8.0 | A |
IDM | Current Drain Pulsed2 | 45 | A |
EAS | Single Pulse Avalanche Energy3 | 25 | mJ |
IAS | Avalanche Current | 12 | A |
PD@TA=25℃ | Tevahiya Hêzê Disipation4 | 2.0 | W |
TSTG | Range Germahiya Storage | -55 heta 150 | ℃ |
TJ | Range Germahiya Junction Operating | -55 heta 150 | ℃ |
Nîşan | Parametre | Şertên | Min. | Tîp. | Max. | Yekbûn |
BVDSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, ID=250uA | 30 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | BVDSS Germahiya Germiya | Navnîşana 25℃, ID=1mA | --- | 0.034 | --- | V/℃ |
RDS(ON) | Static Drain-Source On-Resistance2 | VGS=10V, ID=8.5A | --- | 13.5 | 18 | mΩ |
VGS=4.5V, ID=5A | --- | 18 | 25 | |||
VGS(th) | Gate Threshold Voltage | VGS=VDS, ID =250uA | 1.5 | 1.8 | 2.5 | V |
△VGS(th) | VGS (th) Germahiya Germiya | --- | -5.8 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Drain-Source Leakage Current | VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
IGSS | Gate-Source Leakage Current | VGS=±20V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
gfs | Forward Transconductance | VDS=5V, ID=8A | --- | 9 | --- | S |
Rg | Berxwedana Gate | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.8 | 2.9 | Ω |
Qg | Tevahiya Barkirina Deriyê (4,5V) | VDS=15V, VGS=4.5V, ID=8.8A | --- | 6 | 8.4 | nC |
Qgs | Dergeh-Çavkanî Charge | --- | 1.5 | --- | ||
Qgd | Dergeh-Drain Charge | --- | 2.5 | --- | ||
Td(li ser) | Demjimêra Dereng-On | VDD=15V, VGEN=10V, RG=6Ω Nasname=1A,RL=15Ω | --- | 7.5 | 9.8 | ns |
Tr | Dema Rabûnê | --- | 9.2 | 19 | ||
Td(off) | Dema Derengiya Vemirandinê | --- | 19 | 34 | ||
Tf | Fall Time | --- | 4.2 | 8 | ||
Ciss | Input Capacitance | VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 590 | 701 | pF |
Coss | Capacitance Output | --- | 98 | 112 | ||
Crss | Reverse Transfer Capacitance | --- | 59 | 91 |