WSP4099 Dual P-Channel -40V -6.5A SOP-8 WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WSP4099

BVDSS:-40V

RDSON:30mΩ

Nasname:-6.5A

Qenal:Dual P-Channel

Pakêt:SOP-8

Kurteya Hilberê:WSP4099 MOSFET xwedan voltaja -40V, herikîna -6.5A, berxwedanek 30mΩ, Dual P-Channel, û di pakêtek SOP-8 de tê.

Serlêdan:Cixareyên elektronîkî, şarjkirina bêtêl, motor, dron, bijîjkî, şarjkerên otomatîkî, kontrolker, hilberên dîjîtal, amûrên piçûk, elektronîkên xerîdar.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WSP4099 P-ch MOSFET-a xendekek hêzdar e ku bi tîrêjek hucreyek bilind e. Ew heqê RDSON û dergehek hêja peyda dike, ku ew ji bo pir sepanên veguhezkarê buckê yên hevdemdar maqûl dike. Ew standardên RoHS û GreenProduct bicîh tîne û bi erêkirina pêbaweriya fonksiyonê ya tevahî 100% garantiya EAS heye.

Features

Teknolojiya Xendekê ya pêşkeftî ya bi tîrêjiya hucreyê ya bilind, barkirina dergehê pir kêm, hilweşîna bandora CdV/dt ya hêja û garantiya 100% EAS hemî taybetmendiyên cîhazên me yên kesk in ku bi hêsanî peyda dibin.

Applications

Veguhezkarê Buckê Hemdem-Xala Barkirinê ya Bilind ji bo MB/NB/UMPC/VGA, Pergala Hêza DC-DC ya Torê, Veguheztina Barkirinê, E-cixare, şarjkirina bêtêlê, motor, dron, lênihêrîna bijîjkî, şarjkerên gerîdeyê, kontrolker, hilberên dîjîtal , alavên malê yên piçûk, û elektronîkên xerîdar.

hejmara materyalê ya têkildar

LI SER FDS4685,VISHAY Si4447ADY,TOSHIBA TPC8227-H,PANJIT PJL9835A,Sinopower SM4405BSK,dintek DTM4807,ruichips RU40S4H.

Parametreyên girîng

Nîşan	Parametre	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-40	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25℃	Berdewam Drain Current, -VGS @ -10V1	-6.5	A
ID@TC=100℃	Berdewam Drain Current, -VGS @ -10V1	-4.5	A
IDM	Current Drain Pulsed2	-22	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	25	mJ
IAS	Avalanche Current	-10	A
PD@TC=25℃	Tevahiya Hêzê Disipation4	2.0	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 150	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 150	℃

Nîşan	Parametre	Şertên	Min.	Tîp.	Max.	Yekbûn
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=-250uA	-40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Germahiya Germiya	Navnîşana 25℃, ID=-1mA	---	-0.02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-10V, ID=-6.5A	---	30	38	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=-4.5V, ID=-4.5A	---	46	62	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS, ID =-250uA	-1.5	-2.0	-2.5	V
△VGS(th)	VGS (th) Germahiya Germiya	VGS=VDS, ID =-250uA	---	3.72	---	V/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=-32V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=-5V, ID=-4A	---	8	---	S
Qg	Tevahiya Barê Deriyê (-4,5V)	VDS=-20V, VGS=-4.5V, ID=-6.5A	---	7.5	---	nC
Qgs	Dergeh-Çavkanî Charge		---	2.4	---
Qgd	Dergeh-Drain Charge		---	3.5	---
Td(li ser)	Demjimêra Dereng-On	VDD=-15V, VGS=-10V, RG=6Ω, ID=-1A,RL=20Ω	---	8.7	---	ns
Tr	Dema Rabûnê		---	7	---
Td(off)	Dema Derengiya Vemirandinê		---	31	---
Tf	Fall Time		---	17	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz	---	668	---	pF
Coss	Capacitance Output		---	98	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	72	---