WSM320N04G N-kanala 40V 320A TOLL-8L WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WSM320N04G

BVDSS:40V

RDSON:1.2 mΩ

Nasname:320A

Qenal:N-kanala

Pakêt:TOLL-8L

Kurteya Hilberê:WSM320N04G MOSFET xwedan voltaja 40V, a niha 320A, berxwedanek 1.2mΩ, kanalek N, û pakêtek TOLL-8L heye.

Serlêdan:Cixareya elektronîkî, şarjkirina bêtêlê, dron, bijîjkî, şarjkirina gerîdeyê, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, elektronîkên xerîdar.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WSM320N04G MOSFETek bi performansa bilind e ku sêwirana xendek bikar tîne û xwedan dendika hucreyek pir bilind e.Ew RDSON û lêçûna dergehek hêja heye û ji bo pir sepanên veguhezkera buckê ya hemdem maqûl e.WSM320N04G daxwazên RoHS û Hilbera Kesk pêk tîne û tê garantî kirin ku 100% EAS û pêbaweriya fonksiyona tevahî heye.

Features

Teknolojiya Trench-a bilind a şaneya bilind a pêşkeftî, di heman demê de ji bo performansa çêtirîn barek deriyê kêm jî vedigire.Wekî din, ew xwedan kêmbûna bandorek CdV / dt ya hêja, 100% Garantiyek EAS û vebijarkek eko-heval e.

Applications

Veguhezkara Buckê ya Hevdem-Xala Barkêşiya Bilind, Pergala Hêza DC-DC ya Torgilokê, Serlêdana Amûra Hêzdar, Cixareya Elektronîkî, şarjkirina bêtêlê, dron, bijîjkî, şarjkirina gerîdeyê, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, û elektronîkên xerîdar.

Parametreyên girîng

Nîşan	Parametre	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	40	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 10V1,7	320	A
ID@TC=100℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 10V1,7	192	A
IDM	Current Drain Pulsed2	900	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	980	mJ
IAS	Avalanche Current	70	A
PD@TC=25℃	Tevahiya Hêzê Disipation4	250	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 175	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 175	℃

Nîşan	Parametre	Şertên	Min.	Tîp.	Max.	Yekbûn
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	40	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Germahiya Germiya	Navnîşana 25℃, ID=1mA	---	0.050	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=25A	---	1.2	1.5	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=20A	---	1.7	2.5	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.6	V
△VGS(th)	VGS (th) Germahiya Germiya	VGS=VDS, ID =250uA	---	-6.94	---	mV/℃
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=40V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=40V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=50A	---	160	---	S
Rg	Berxwedana Gate	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Tevahiya Barê Deriyê (10V)	VDS=20V, VGS=10V, ID=25A	---	130	---	nC
Qgs	Dergeh-Çavkanî Charge		---	43	---
Qgd	Dergeh-Drain Charge		---	83	---
Td(li ser)	Demjimêra Derengiya Vemirandinê	VDD=20V, VGEN=4.5V, RG=2.7Ω, ID=1A.	---	30	---	ns
Tr	Dema Rabûnê		---	115	---
Td(off)	Dema Derengmayînê Vemirandin		---	95	---
Tf	Fall Time		---	80	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=20V, VGS=0V, f=1MHz	---	8100	---	pF
Coss	Capacitance Output		---	1200	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	800	---