WSD30L88DN56 Dual P-kanala -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mΩ

Nasname:-49A

Qenal:Dual P-kanala

Pakêt:DFN5 * 6-8

Kurteya Hilberê:Voltaja WSD30L88DN56 MOSFET -30V e, niha-49A ye, berxwedan 11.5mΩ ye, kanal kanala P Dual e, û pakêt DFN5 * 6-8 e.

Serlêdan:Cixareyên elektronîkî, şarjkirina bêtêl, motor, dron, lênihêrîna bijîjkî, şarjkerên gerîdeyê, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk ên malê, elektronîkên xerîdar.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WSD30L88DN56 xendek performansa herî bilind e Dual P-Ch MOSFET e ku bi dendika hucreya pir bilind e, ku ji bo piraniya serîlêdanên veguhezkarê hevdemî yên hevdemî RDSON û berdêla dergehê xweş peyda dike.WSD30L88DN56 hewcedariya RoHS û Hilbera Kesk 100% EAS bi pêbaweriya fonksiyonê ya bêkêmasî ya pejirandî ve hatî garantî kirin.

Features

Teknolojiya Xendekê ya bi tîrêjiya hucreya bilind a pêşkeftî ，Dergê Deriyê Super Kêm , Kêmbûna bandora CdV/dt ya hêja ，100% EAS Garantîkirî ，Cîhaza Kesk Berdest e.

Applications

Hemdem-Xala Barkirinê ya Frekansa Bilind, Ji bo MB/NB/UMPC/VGA veguherînerek Buckê, Pergala Hêza DC-DC ya torê, Veguheztina barkirinê, cixareyên elektronîkî, şarjkirina bêtêlê, motor, dron, lênihêrîna bijîjkî, şarjkerên gerîdeyê, kontrolker, dîjîtal. hilber, alavên piçûk ên malê, elektronîkên xerîdar.

hejmara materyalê ya têkildar

AOS

Parametreyên girîng

Nîşan	Parametre	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	-30	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25℃	Berdewam Drain Current, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Berdewam Drain Current, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Current Drain Pulsed2	-120	A
EAS	Single Pulse Avalanche Energy3	68	mJ
PD@TC=25℃	Tevahiya Hêzê Disipation4	40	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 150	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 150	℃