WSD30140DN56 N-kanala 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

şiroveya kurt:

Hejmara Model:WSD30140DN56

BVDSS:30V

RDSON:1.7 mΩ

Nasname:85A

Qenal:N-kanala

Pakêt:DFN5 * 6-8

Kurteya Hilberê:Voltaja WSD30140DN56 MOSFET 30V e, niha 85A ye, berxwedan 1.7mΩ ye, kanal kanalek N e, û pakêt DFN5 * 6-8 e.

Serlêdan:Cixareyên elektronîkî, şarjkerên bêtêl, dron, lênihêrîna bijîjkî, şarjkerên gerîdeyê, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk, elektronîkên xerîdar, hwd.

E-nameyê ji me re bişînin PDF

Detail Product

Bikaranînî

Tags Product

Danasîna Giştî

WSD30140DN56 MOSFET-a kanala N-ya xendek performansa herî bilind e ku bi dendika hucreyê ya pir bilind ve ji bo pir sepanên veguhezkarê buckê yên hevdemî RDSON û heqê dergehê hêja peyda dike. WSD30140DN56 bi RoHS û daxwazên hilbera kesk, 100% garantiya EAS, pêbaweriya fonksiyonê ya bêkêmasî pejirand.

Features

Teknolojiya xendeqê ya bilind a hucreyê ya pêşkeftî, barkirina dergehê pir kêm, kêmbûna bandora CdV/dt ya hêja, 100% garantiya EAS, amûrên kesk hene

Applications

Hevdengkirina xala barkirinê ya bi frekansa bilind, veguherkerên buckê, pergalên hêzê yên DC-DC yên torê, sepanên amûrên elektrîkê, cixareya elektronîkî, şarjkirina bêtêlê, dron, lênihêrîna bijîjkî, şarjkirina gerîdeyê, kontrolker, hilberên dîjîtal, alavên piçûk, elektronîkên xerîdar

hejmara materyalê ya têkildar

AO AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314. LI SER NTMFS4847N. VISHAY SiRA62DP. ST STL86N3LLH6AG. INFINEON BSC050N03MSG. TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A. NXP PH2520U. TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL. ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN. PANJIT PJQ5410. AP AP3D5R0MT. NIKO PK610SA, PK510BA. POTENS PDC3803R

Parametreyên girîng

Nîşan	Parametre	Rating	Units
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID@TC=25℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 10V1,7	85	A
ID@TC=70℃	Berdewam Drain Current, VGS @ 10V1,7	65	A
IDM	Current Drain Pulsed2	300	A
PD@TC=25℃	Tevahiya Hêzê Disipation4	50	W
TSTG	Range Germahiya Storage	-55 heta 150	℃
TJ	Range Germahiya Junction Operating	-55 heta 150	℃

Nîşan	Parametre	Şertên	Min.	Tîp.	Max.	Yekbûn
BVDSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	30	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS Germahiya Germiya	Navnîşana 25℃, ID=1mA	---	0.02	---	V/℃
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=10V, ID=20A	---	1.7	2.4	mΩ
RDS(ON)	Static Drain-Source On-Resistance2	VGS=4.5V, ID=15A		2.5	3.3	mΩ
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VGS=VDS, ID =250uA	1.2	1.7	2.5	V
	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Drain-Source Leakage Current	VDS=24V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	5	uA
IGSS	Gate-Source Leakage Current	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=20A	---	90	---	S
Qg	Tevahiya Barkirina Deriyê (4,5V)	VDS=15V, VGS=4.5V, ID=20A	---	26	---	nC
Qgs	Dergeh-Çavkanî Charge		---	9.5	---
Qgd	Dergeh-Drain Charge		---	11.4	---
Td(li ser)	Demjimêra Dereng-On	VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0.75Ω.	---	11	---	ns
Tr	Dema Rabûnê		---	6	---
Td(off)	Dema Derengiya Vemirandinê		---	38.5	---
Tf	Fall Time		---	10	---
Ciss	Input Capacitance	VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz	---	3000	---	pF
Coss	Capacitance Output		---	1280	---
Crss	Reverse Transfer Capacitance		---	160	---