Di salên dawî de, pîşesaziya dabînkirina hêzê ya LED-ê ji hêla pêşkeftina teknolojîk ya bilez û zêdebûna daxwaziya çareseriyên enerjiyê ve hatî destnîşan kirin. Digel hewandina gerdûnî ya ji bo domdariyê, pejirandina bazarê ya pergalên ronahiya LED-ê bi girîngî zêde bûye, ku di encamê de di pîşesaziya hêza LED-ê de mezinbûn çêdike.
Li gorî dînamîkên bazarê, pîşesazî şahidê meyla ajokarên LED-ê ye ku fonksiyonên aqilmend û bernamekirî tevdigerin da ku daxwaziya mezin a çareseriyên ronahiya biaqil bicîh bîne. Derketina IoT (Înterneta Tiştan) û AI (Îstîxbarata Artificial) torên ronahiyê tevlihevtir kiriye, digel ajokarên LED-ê ku xerckirina hêzê xweştir dikin û li gorî şert û mercên di wextê rast de diguhezin.
Di pîşesaziya hêza ajokera LED-ê de, karîgerî û leza veguherînê yaMOSFETs(Tranzîstorên Bandora Qada Nîvconductor Oksîda Metal) pir girîng in. Van cîhazên nîvconductor beşek yekbûyî ya dabînkirina hêzê ya LED-ê ne ji ber ku ew dikarin herikên bilind bi windahiyên hindiktirîn re mijûl bibin, û xebata enerjiyê-kêmasî misoger bikin. Taybetmendiyên sereke yên teknolojiya MOSFET, kêm-berxwedan û kapasîteyên guheztina bilez, sêwiranên dabînkirina hêzê zêde dikin, ajokarên LED-ê yên kompakt, pêbawer û bi performansa bilind çalak dikin. Pêşketinên di sêwirana MOSFET-ê de, mîna yên ku heqê dergehê kêm peyda dikin û performansa germî ya çêtir peyda dikin, berdewam dikin ku pêşkeftina çareseriyên hêza ronahiya LED-ê bi baldarî li ser sepanên domdar, enerjîk û bikêrhatî dimeşînin.
Serlêdana jiWINSOKMOSFET di dabînkirina hêza ajotinê ya LED de, modelên sereke yên serîlêdanê ev in:
| Hejmara beşê | Veavakirin | Awa | VDS | Nasname (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pakêt | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Max. | Min. | Tîp. | Max. | Tîp. | Max. | (pF) | ||||
| Azeb | N-Ch | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
| Dual | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
| N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
| P-Ch | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
| Azeb | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | TO-252 | |
| Azeb | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | TO-252 | |
Hejmarên materyalên marqeya din ên ku bi WINSOK-a jorîn re têkildar inMOSFETev in:
Hejmarên materyalê yên têkildar ên WINSOK MOSFET WST3400 ev in: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Hejmarên materyalên têkildar ên WINSOK MOSFET WSP6946 ev in: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Potens Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Hejmarên materyalê yên têkildar ên WINSOK MOSFET WSP6067 ev in: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Potens Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Hejmarên materyalê yên têkildar ên WINSOK MOSFET ev in: AOS AO4611, AO4612.
Jimarên maddî yên têkildar ji bo WINSOK MOSFET WSF15N10 ev in: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
Hejmarên materyalên têkildar ênWINSOK MOSFETWSF40N10 ev in: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N1.
Bi tevayî, pîşesaziya hêza ajokera LED-ê ji bo mezinbûna domdar amade ye, ku ji hêla karbidestiya enerjiyê, teknolojiyên pêşkeftî, û lihevhatina gerdûnî ya çareseriyên ronahiyê yên jîr û domdar ve tê rêve kirin.
Dema şandinê: Nov-06-2023
